Numărul de produs al producătorului:
IPU103N08N3 G
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPU103N08N3 G-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V 50A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventar:
12801798
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPU103N08N3 G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
10.3mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 46µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2410 pF @ 40 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
100W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO251-3
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
IPU103N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPU103N08N3G
SP000521640
IPU103N08N3 G-DG
Pachet standard
1,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFU3607PBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
743
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFU3607PBF-DG
PREȚ UNIC
0.63
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPD50R650CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3
AUIRF3004WL
MOSFET N-CH 40V 240A TO262-3
BSP317PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
